1.仪器简介
X射线光电子能谱仪PHI GENESIS 500是日本ULVAC-PHI公司推出的一款多功能光电子能谱仪,集XPS、紫外光电子能谱(UPS)、4-触点样品台(原位测试)和多种溅射离子源(氩单离子源Ar+、气体团簇离子源GCIB)等为一体,打造出全面高性能电子结构综合分析平台。PHI GENESIS 500采用扫描微聚焦的单色化Al Kα作为X射线源,可选择的束斑直径在5 μm至400 μm连续可调,能在较低运行功率下获得高灵敏度和最佳能量分辨率,既能满足常规的大面积XPS分析,又能利用小束斑精准分析微米形貌,还可实现多点分析、线扫描、面分析、化学态成像和深度剖析。因此,该设备可以高精度完成各种材料样品表面的元素成分、价态、相对含量、浓度掺杂及表面、深度分布等功能分析,确保所研发材料性能的精确控制,以完成材料表面元素以及化合态的分布、识别、量化、功能分析和预测等。

2.仪器应用范围
XPS可对各种材料样品提供高精度的元素成分、价态、相对含量、浓度掺杂及表面、深度分布等功能分析。目前该仪器被广泛应用于金属材料、薄膜材料、纳米材料、催化剂材料、生物材料、木材、半导体、微电子等各种有机无机材料研究领域。主要用于材料表面信息(仅限于几个纳米的绝对表面)以及材料之间界面相互作用的机理研究。
3.放置地点及联系人
放置地点:陕西省西安市长安区西安交通大学创新港校区1号楼1层1012
预约网址:https://equip.xjtu.edu.cn/
收费标准:
实验项目 |
平台内收费标准 |
校内收费标准 |
校外收费标准 |
普通测试(5元素以内,含C) |
100元/样 |
200元/样 |
400元/样 |
普通测试(超过5个元素,每个元素附加费) |
25元/元素 |
50元/元素 |
100元/元素 |
样品表面清洗 |
50元/样 |
100元/样 |
200元/样 |
XPS深度分析(使用时间小于3小时,含3小时) |
800元/次 |
1500元/次 |
3000元/次 |
XPS深度分析(使用时间大于3小时) |
400元/小时 |
800元/小时 |
1500元/小时 |
XPS加热 |
3小时以内250元/小时,3小时以上400元/小时 |
3小时以内500元/小时,3小时以上800元/小时 |
1000元/小时 |
UPS测试 |
200元/样 |
400元/样 |
800元/样 |
XPS成像分析 |
200元/样 |
400元/样 |
800元/样 |
粉末样品制样 |
15元/样 |
30元/样 |
50元/样 |
联系人:贺 丹 19829775655 272853100@qq.com
潘朝莹 13619250313 675205069@qq.com
附:仪器参数及其他附件功能与典型应用
1. X射线源
(a)阳极靶:Al靶
(b)能量分辨率:0.48 eV/(Ag 3d5/2)
(c)微区分析: 50 Kcps @0.6eV (Ag 3d5/2,束斑≤10 µm)
(d)灵敏度:6Mcps@1.0eV (Ag 3d5/2,功率≤100W)
(e)成像空间分辨率:≤5 μm
2.能量分析器及能量传输透镜
(a)180°半球能量分析器
(b)平均半径150 mm
(c)通过能(FAT/CAE模式):5~280eV可调
3.能量扫描范围及最小步长:0.0125eV (0~1,500eV)
成像分析面积:Ø5.0 µm×5 µm ~ 1400 µm×1400 µm
4.其他附件及功能
4.1原位加热/冷却样品台,温度控制范围:-100℃~700℃;温度控制精度:优于±1℃
4.2便携式样品转移仓,支持在真空和惰性气氛环境下转移样品
5.数据库及数据分析软件
该设备配套的XPS数据分析软件“Multipak”,可实现在线查询标准谱,可直接调用标准谱库软件中的标准谱图,并可直接用于对实测数据的谱峰拟合、非线性拟合、叠加比对等独一无二的功能,大大降低了谱峰拟合的难度和出错几率。
6. 典型应用
6.1化学态影像分析案例
利用小束斑(10 um)X射线采集电池隔膜截面的SXI(二次电子影像),再借助SXI+小束斑对微区特征进行精准分析,成功获取C/O/F/S/Pt元素影像和F化学态影像,深入解析薄膜降解机制和电池失效原因。

6.2深度分析案例
通过聚焦X射线源、高灵敏度探测器和氩离子枪,实现全自动深度剖析功能。通过动态控制溅射刻蚀速率与信号采集参数,在保持样品原始形貌的前提下,可逐层剥离材料表面并同步采集各层原子分布信息。特别适用于薄膜界面结构研究,如全固态电池中锂电解质界面的精细结构解析、半导体多层异质结界面元素分布 mapping 以及有机/无机复合薄膜界面扩散行为分析等领域。
(a)锂电池电极截面的Li元素和化学态成像,(b) SnO2及锂电池极片深度分析

6.3 UPS分析案例
采用低能紫外光(例如He I/II光源)选择性激发材料价带中的电子(结合能范围为0-20 eV),能够精确测定半导体材料的费米能级、最高占据分子轨道(HOMO)能级以及功函数,从而得到材料的价带能级结构。
